MOSFET de energia enriquecido por radiação para hardware espaciais em satélites

O transistor de silício M6 MRH25N12U3 rad-hard da Microchip suporta ambientes espaciais extremos e estende a confiabilidade dos circuitos de energia

Microchip Technology Inc. em Chandler, Arizona, qualificou o MOSFET M6 MRH25N12U3 com proteção de radiação da empresa para aplicações de eletrônica de potência em satélites comerciais e militares.

 

As fontes de alimentação espaciais operam em ambientes que requerem tecnologia avançada de radiação para resistir a interações extremas de partículas e eventos solares e eletromagnéticos. Esses eventos degradam os sistemas baseados no espaço e interrompem as operações.

 

Para atender a esse requisito, a Microchip qualificou seu MOSFET M6 MRH25N12U3 endurecido por radiação de 250 volts e 0,21 Ohm Rds (on) para aplicações comerciais aeroespaciais e espaciais de defesa.

 

O MOSFET M6 MRH25N12U3 endurecido por radiação da Microchip fornece o elemento de comutação primário em circuitos de conversão de energia, incluindo conversores de ponto de carga, conversores DC-DC, drives e controles de motor e comutação de uso geral.

 

O MOSFET resiste aos ambientes hostis do espaço , estende a confiabilidade dos circuitos de alimentação e atende a todos os requisitos do MIL-PRF19500 / 746 com desempenho aprimorado. A Microchip concluiu os testes para a revisão e qualificação da Defense Logistics Agency (DLA) para o fornecimento do dispositivo na cadeia de suprimentos militar dos EUA em junho.

 

O dispositivo pode suportar radiação de dose ionizante total de até 100 e 300 kilorads e efeitos de evento único com transferência de energia linear de 87 MeV / mg / cm2. Ele fornece 100 por cento de garantia de dureza de radiação de lote de wafer em testes de validação.

 

 

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